半導体加工

レーザーリフトオフ

基板と薄膜の界面にレーザーを照射し、選択的に剥離するプロセスです。熱影響を最小限に抑えつつ高速・非接触で分離でき、半導体デバイスやディスプレイ製造で高い歩留まりと加工効率を実現します。

LEDサファイア基板

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー

レーザーリフトオフ

半導体検査

レーザーは、ウエハやデバイスの欠陥、微小異物、パターン精度などを高感度に評価に最適です。非接触で微細構造を検出でき、生産ラインでの品質保証や歩留まり向上に不可欠です。


半導体

Photonics Industries
DP Series 高パルスエネルギー ナノ秒レーザー

半導体

マーキング


ウェハ表面にIDやトレーサビリティ情報を微細に刻印するプロセスです。レーザーなら非接触で熱影響が小さく、欠けや汚染を抑えながら高い耐久性と読み取り精度を実現します。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

マーキング

穴あけ

レーザーを用いてPCB基板や半導体に微細なビア穴・スルーホールを形成できます。高精度・非接触で熱影響が小さく、微細配線や高密度実装に不可欠な高品質な穴あけを実現します。

PCBボード

Photonics Industries
DX Air-Cooled 355nm / 532nm 空冷式ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

半導体

Photonics Industries
DX Air-Cooled 355nm / 532nm 空冷式ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

穴あけ

アブレーション


レーザーで半導体表面の薄膜や特定層を選択的に除去するプロセスです。非接触で高精度、熱影響を最小限に抑え、微細加工や再配線工程などで高品質な加工を実現します。

半導体

Photonics Industries
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

アブレーション

パターニング

基板表面に微細な配線パターンや開口部を直接形成するプロセスです。レーザーなら非接触で高精度、フォトマスク不要のため迅速な設計変更が可能で、高密度実装や微細加工に適しています。

半導体

Photonics Industries
DX Air-Cooled 355nm / 532nm 空冷式ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

PCBボード

Photonics Industries
DX Air-Cooled 355nm / 532nm 空冷式ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

パターニング

LEDスクライビング

ウェハ上のLEDチップ間に微細な切り溝を形成するプロセスです。レーザーを用いると、非接触で熱影響が小さく、欠けやクラックを抑えて高い歩留まりと均一なチップ分割を実現します。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

LEDスクライビング

LEDダイシング

レーザーでLEDチップを高精度に切断・分割できます。非接触で加工応力が少なく、微細ピッチや薄型ウェハでも欠けやクラックを抑え、高い歩留まりを実現します。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

LEDダイシング

Low-kグルービング

レーザーでLow-k材料層に微細溝を形成できます。非接触で熱影響を最小限に抑え、脆弱なLow-k層でも欠損を抑制し、高密度配線や後工程の歩留まり向上に貢献します。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

Low-kグルービング

PCBデパネリング

基板パネルから個々のPCBを高精度に切り出すプロセスです。レーザーなら非接触で応力やバリが発生しにくく、微細配線や薄型基板でも高い品質と歩留まりを確保できます。

PCBボード

Photonics Industries
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

PCBデパネリング

シリコングルービング

シリコン表面に微細な溝を形成するプロセスです。レーザー加工は非接触で高精度、熱影響が小さく、デバイス分割や後工程に向けたストレス低減に有効です。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

Low-kグルービング

セラミックスクライビング

セラミック基板に微細な切り溝を形成するプロセスです。レーザーを用いることで、高硬度材料でも非接触で欠けやクラックを抑えながら、精密な分割工程を実現できます。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

セラミックスクライビング

フルカットウェハダイシング

ウェハ全層を一括切断し、チップを高精度に分割するプロセスです。レーザー加工なら非接触で応力が少なく、薄型化・微細ピッチ化したデバイスでも高い品質と歩留まりを実現します。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

フルカットウェハダイシング

レーザーシンギュレーション/ダイシング

レーザーで基板やデバイスを高精度に切断・分割するプロセスです。非接触で加工応力や欠けを抑え、薄型ウェハや微細ピッチでも高い品質と歩留まりを実現します。

シリコンウェハ

Photonics Industries
DX DUV Series 第4高調波ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー

レーザーシンギュレーション/ダイシング

微細加工

レーザーで基板やデバイスを高精度に切断・分割するプロセスです。非接触で加工応力や欠けを抑え、薄型ウェハや微細ピッチでも高い品質と歩留まりを実現します。

PCBボード・シリコンウェハ

Photonics Industries
DXG Air-Cooled DUV 266nm DUV Nd:YAG 空冷ナノ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
RXGL Series 1064 nm/532 nm 高パルスエネルギー ピコ秒レーザー
DX Short Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー
DX Air-Cooled 355nm / 532nm 空冷式ナノ秒レーザー
DX Long Pulse 355nm / 532nm 高出力ナノ秒レーザー

微細加工