窒化ケイ素やアルミナなど、エンジニアリングセラミックをスクライビングする技術では、材料に溝を切り込みます。溝の幅は制御が可能です。次に、この溝に沿って材料を壊すことができます。これにより、マイクロフラクチャリングを最小限に抑えた高品質のエッジ仕上げを実現します。さらに、アブレーションされる材料が少ないため、処理時間を最小限に抑えます。

このアプリケーションではアルミナが最も一般的なエンジニアリングセラミックです。使用例として、単一のLED回路が挙げられます。​TRUMPFのTruPulse nano は、1回のパスで200mm/sで幅30µm以上、深さ80µm以上の窒化ケイ素の線をスクライビングします。ロングパルス幅(WF 36/520ns)は、一定のスキャン速度でより深いスクライビングを実現します。

また、パルス幅が長いパスと短いパスを複数使用する場合には、スクライビングの深さを調整して、スクライブプロファイルの改善が可能です。TruPulse nanoレーザーでは、その場でパルスパラメータの迅速な変更ができます。さらに、ウォブルの適用により、幅が30µmを超え、深さが80µを超える高品質のスクライビングを実現できます。スクライビング結果は、他のエンジニアリングセラミックでも達成できます。