メーカー:PHOTON ENERGY
ガラス、樹脂、金属、多彩な素材への非熱加工や精密加工に最適
仕様
モデル | CEPHEUS 1050 | CEPHEUS 1016 | CEPHEUS 1012 |
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レーザータイプ | モードロック Nd:YVO4 | モードロック Nd:YVO4 | モードロック Nd:YVO4 |
最大平均出力 | 50 W @ 1 MHz | 16 W @ 500 kHz | 12 W @ 500 kHz |
パルスエネルギー | > 300 μJ @ 100 kHz, > 50 μJ @ 1 MHz | > 300 μJ @ ≤ 20 kHz, > 120 μJ @ 100 kHz | > 250 μJ @ 20 kHz, > 60 μJ @ 100 kHz |
パルス幅 | < 15 ps | < 15 ps | < 15 ps |
周波数範囲 | single shot – 1 MHz* | single shot – 1 MHz* | single shot – 500 kHz** |
ビーム品質*** | TEM00 (M2 < 1.5) | TEM00 (M2 < 1.5) | TEM00 (M2 < 1.5) |
ビーム径 (出射口) | 1.0 ±0.1 mm | 1.0 ±0.1 mm | 0.6 ±0.1 mm |
冷却 | 水冷 | 空冷 | 空冷 |
寸法, L x W x H (mm) ; 重量 | |||
レーザーヘッド | 700 x 362 x 220; 75 kg | 480 x 302 x 201; 38 kg | 480 x 302 x 201; 38 kg |
レーザーコントロールユニット | 492 x 177 x 492; 23 kg | 492 x 177 x 492; 23 kg | 492 x 177 x 492; 23 kg |
チラー | 483 x 400 x 663; 45 kg | – | – |
*4 MHz まで可
**1 MHz 時
***代表値 M2 < 1.3